N-channel 600 V, 0.175 O typ., 18 A FDmesh II Plus™ low Qg Power MOSFETs
Features
- Extremely low gate charge and input capacitance
- Lower RDS(on) x area vs previous generation
- Low gate input resistance
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
- Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
Applications
- Switching applications
Verantwortliche Person für die EU
In der EU ansässiger Wirtschaftsbeteiligter, der sicherstellt, dass das Produkt den erforderlichen Vorschriften entspricht:
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