Bent u hier voor het eerst? Nu registreren!
Wachtwoord vergeten?

MJ 11016 ISC Darlington-transistor, NPN, 120V, 30A, 200W, TO-3

Artikel-nr.: MJ 11016 ISC

 €

4,16

In lijst overnemen
Artikel dat met succes aan de lijst is toegevoegd

Productbeschrijving

MJ 11016 ISC

INCHANGE Halfgeleider Silicium NPN Darlington Power Transistor

Beschrijving:
- Uitvalsspanning van de collector-emitter
- V(BR)CEO= 120V(min.)
- Hoge gelijkstroomversterking
: hFE= 1000 (min.)@IC= 20A
- Lage collectorverzadigingsspanning
- VCE (sat)= 3.0V (Max.)@ IC= 20A
- Toevoeging aan PNP MJ11015
- Minimale variaties van partij tot partij voor robuuste prestaties van het apparaat en een betrouwbare werking.

toepassingen:
- Ontworpen voor gebruik als uitvoerapparaat in complementaire
versterkertoepassingen.




...weiterlesen

Technische gegevens
Technische gegevens

Technische gegevens

  • Algemeen
    • Type
    • Bipolartransistoren (BJT)
    • Uitvoering
    • Darlington-Transistoren
    • Technologie
    • NPN
    • Ontwerp
    • TO-3
  • Elektrische gegevens
    • Uceo
    • 120 V
    • Ic
    • 30 A
    • Ptot
    • 200 W
    • hFE
    • >1000 V
  • Fabrieksgegevens
    • Fabrikant
    • INCHANGE
    • Artikelnummer van de fabrikant
    • MJ11016
    • Verpakkingsgewicht
    • 0.011 kg
    • RoHS
    • conform
    • EAN / GTIN
    • 9900002716880
Gegevensbladen
Gegevensblad/gebruiksaanwijzing

Technische gegevens

  • Algemeen
    • Type
    • Bipolartransistoren (BJT)
    • Uitvoering
    • Darlington-Transistoren
    • Technologie
    • NPN
    • Ontwerp
    • TO-3
  • Elektrische gegevens
    • Uceo
    • 120 V
    • Ic
    • 30 A
    • Ptot
    • 200 W
    • hFE
    • >1000 V
  • Fabrieksgegevens
    • Fabrikant
    • INCHANGE
    • Artikelnummer van de fabrikant
    • MJ11016
    • Verpakkingsgewicht
    • 0.011 kg
    • RoHS
    • conform
    • EAN / GTIN
    • 9900002716880