Nuovo cliente? Registrati ora!
Password dimenticata?

MJ 11016 ISC Transistor Darlington, NPN, 120V, 30A, 200W, TO-3

Codice art.: MJ 11016 ISC

 €

4,16

Copia nella lista
Articolo aggiunto con successo all'elenco

Descrizione del prodotto

MJ 11016 ISC

INCHANGE Semiconductor Silicon Silicon NPN Darlington Power Transistor

Descrizione: - Tensione di guasto collettore-emettitore
- V(BR)CEO= 120V(min.)
- Elevata amplificazione in corrente continua
hFE= 1000(min.)@IC= 20A
- Bassa tensione di saturazione del collettore
- VCE (sat)= 3.0V(Max.)@ IC= 20A
- Aggiunta al PNP MJ11015
- Variazioni minime da lotto a lotto per prestazioni robuste dell'apparecchio e funzionamento affidabile

applicazioni:
- Progettato per l'utilizzo come dispositivi di uscita in
applicazioni di amplificatori.




...continua a leggere

Dati tecnici
Dati tecnici

Dati tecnici

  • General
    • Tipo
    • Bipolartransistoren (BJT)
    • Versione
    • Darlington-Transistoren
    • Tecnologia
    • NPN
    • Formato
    • TO-3
  • Electrical values
    • Uceo
    • 120 V
    • Ic
    • 30 A
    • Ptot
    • 200 W
    • hFE
    • >1000
    • Produttore
    • INCHANGE
    • Codice articolo del produttore
    • MJ11016
    • Peso dell'imballaggio
    • 0.011 kg
    • RoHS
    • conforme
    • EAN / GTIN
    • 9900002716880
Schede tecniche e download
Scheda tecnica / Istruzioni per l'uso

Dati tecnici

  • General
    • Tipo
    • Bipolartransistoren (BJT)
    • Versione
    • Darlington-Transistoren
    • Tecnologia
    • NPN
    • Formato
    • TO-3
  • Electrical values
    • Uceo
    • 120 V
    • Ic
    • 30 A
    • Ptot
    • 200 W
    • hFE
    • >1000
    • Produttore
    • INCHANGE
    • Codice articolo del produttore
    • MJ11016
    • Peso dell'imballaggio
    • 0.011 kg
    • RoHS
    • conforme
    • EAN / GTIN
    • 9900002716880